磁気メモリのMRAMは何ですか？
現在のDRAMのMRAM技術の実行可能な代替として検討されています（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ） 。 への重要な違いは、後者の磁場の使用は、メモリが"恒久的にメモリのビットを保存することです。 " などのMRAM技術は、データセキュリティのために高速にアクセスすることができます。
現在のRAM技術
現在のメモリ技術は、メモリのビットを格納するために電荷を使用しています。 Microminiaturizedコンデンサとトランジスタを集積回路で' 'を重ねて作成する密度の高い、大規模なメモリが物理的に小さなチップ。 典型的な店を1 GBのメモリチップが可能となり、複数のプログラムやデータに必要なCPUがすぐに使用するためにキャッシュされる。
現在のメモリ技術との大きな問題は、コンデンサの電荷リークされています。 情報の損失となります。 このように、コンデンサの電荷の情報と容易に入手できる、常に有効に保つにリフレッシュする必要があります。 これは、一定の電力源の必要性-コンピュータではない問題をコンセントに接続（誤っていない限り、電源）が切断され、ラップトップやポータブルコンピュータとの問題は、使用電池、メモリのリフレッシュ定数、電池消耗を意味する。
これはまた別の問題につながる-電気電源を切る（故意またはコンピュータのシャットダウン偶然）は、すべての情報をメモリにキャッシュが消えることを意味します。 再起動すると、ユーザのアイドル時間で、この結果の再ロードされるすべてのプログラムを、システムとデータのために時間を必要とします。
のMRAMの出現
のMRAMの磁気情報を格納する要素を使用して、 2つのプレートの形は通常の磁気-薄い絶縁層で区切られた-は、 1つのセルを形成します。 もう一方のフィールドの変化の1つは、外部板、特定の磁気極性があります。 ユニットのようなのMRAMセルのグリッドで構成されています。
一のMRAMチップの主な利点は、常に必要はないが、電気料金の定期的なアプリケーションからの情報を更新しています。さらに、情報を消去していないコンピュータをシャットダウンする。 このように、スタートアップルーチンを高速化するだけで、コンピュータにし、最後のセッションをすぐに入手可能です。 同時に、予想外の停電からデータを損失のリスクが軽減されます。
そこには2つマイナスMRAMsしかし、これは主流の参加があるからそれを阻止されています。 磁場のデータを変更、従来のRAMチップよりも大きな力を入力する必要がある。効果で、一定の電力供給の必要性を、より大きな電力の要件に置き換えられます。 また、磁界の性質を意味する物理的に大きなメモリ'細胞' -は、同じサイズのRAMチップよりも少ないメモリのMRAMチップ店。
現在進行中の研究は様々なアプローチの両方を使用してこれらの問題の解決を目指しています。 ただし、大量のMRAMチップの製造元にいくつかの企業の報告書の準備は、残るかどうか、これらが正常に電源入力とサイズの問題を解決することが見られる。 これらが解決されるとのMRAMチップの価格は、現在のRAMチップは、コンピュータの動作を開始する方法に革命を見ていると一致しています。
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